Ion China-Penyejatan Berbantu Pembuat Peralatan Filem Nipis Kilang Pembekal

Gambaran Keseluruhan Produk

IAE-Siri Ion-Peralatan Filem Nipis Penyejatan Berbantu menyepadukan pemendapan wap fizikal (PVD) dengan-pengeboman rasuk ion masa sebenar. Dengan menghalakan ion bertenaga ke substrat semasa penyejatan pancaran terma atau elektron-, sistem memindahkan momentum kepada adatom pemeluwapan, menstrukturkan semula struktur mikro filem yang semakin meningkat.

Pemindahan tenaga kinetik ini menghilangkan lompang kolumnar, menyekat penyerapan lembapan, dan mengunci indeks biasan terhadap anjakan kelembapan ambien. Dibina untuk operasi berbilang-anjakan berterusan dalam talian pengeluaran optik dan semikonduktor, platform ini mengendalikan substrat daripada-optik laser berketepatan tinggi kepada wafer silikon.

Ion-Peralatan Penyejatan Vakum Berbantu
Ion-Sistem Penyejatan Vakum Berbantu menyepadukan-sumber penyejatan pancaran-vakum tinggi atau elektron-dengan jenis Kaufman-atau sumber ion Akhir-Sumber ion Hall. Dengan mengebom filem yang...
maklumat lanjut
Ion-Sistem Pemendapan Filem Nipis Berbantu
Sistem Pemendapan Filem Nipis Berbantu Ion menyepadukan berbilang-elektron poket-penyejatan rasuk/terma dengan sumber ion jenis-prestasi tinggi-Dewan atau Kaufman-yang tinggi. Semasa pemendapan...
maklumat lanjut
Peralatan Penyejatan Berbantukan Rasuk Ion
Sistem IBAE menggabungkan elektron-rasuk atau penyejatan haba dengan sumber ion rasuk-luas bersepadu. Pengeboman ion serentak semasa pertumbuhan filem memindahkan tenaga kinetik kepada memekatkan...
maklumat lanjut
Ion-Peralatan Pemendapan Filem Nipis Berbantu
IA-Siri Ion-Peralatan Pemendapan Filem Nipis Berbantu menyepadukan elektron-penyejatan haba rasuk dengan Kaufman atau End-sumber ion Hall. Pengeboman ion bertenaga (campuran argon/oksigen) semasa...
maklumat lanjut
Ion-Sistem Filem Nipis Penyejatan Berbantu
Sistem Filem Nipis Ion-Assisted Evaporation (IAE) menyepadukan pemendapan wap fizikal (PVD) dengan pengeboman pancaran ion yang bertenaga. Semasa penyejatan rasuk terma atau elektron-, sumber ion...
maklumat lanjut
Ion-Peralatan Filem Nipis Penyejatan Berbantu
Sistem-Ion gred-Assisted Evaporation (IAE) menyepadukan berbilang-elektron poket-sejatan rasuk dengan sumber pancaran ion yang bertenaga (Konfigurasi Hujung-Dewan atau Kaufman). Pengeboman ion...
maklumat lanjut

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Spesifikasi
Tekanan Asas Muktamad	< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping)
Sumber Penyejatan	Berbilang-poket E-beam gun (4 × 15cc hingga 40cc) dan sumber haba rintangan
Jenis Sumber Ion	Punca ion jenis Hujung Tanpa Grid-Dewan / Kaufman-(voltan rasuk: 50 – 1500 V, arus ion: 0.1 – 3 A)
Kawalan Ketebalan Filem	Imbangan mikro kristal kuarza (QCM) + Sistem pemantauan optik (OMS), ketepatan ± 0.1 nm
Lekapan Substrat	Lekapan putaran planet, jejari kubah disesuaikan dengan geometri substrat
Pemanasan Substrat	Susunan pemanas berseri, sehingga 350 darjah dengan keseragaman PID ± 2 darjah
Seni Bina Kawalan	PLC + PC Industri, pelaksanaan resipi automatik, pengelogan data yang mematuhi SECS/GEM

Ion-Proses Pemendapan Berbantu

Penjanaan Wap:

Bahan disejat daripada e-beam crucible atau bot haba pada kadar pemendapan terkawal (0.1 – 2.0 nm/s).

Pemindahan Momentum:

Ion bertenaga (Ar⁺, O⁺) membedil permukaan substrat secara serentak dengan fluks wap yang tiba daripada rasuk E-atau sumber haba.

Pengubahsuaian Struktur Mikro:

Kesan ion meningkatkan mobiliti permukaan adatom, menghalang pertumbuhan butiran kolumnar dan mencapai hampir-ketumpatan pukal (ketumpatan pembungkusan > 99%).

Pembetulan Stoikiometri:

Bantuan ion reaktif (O₂) memastikan pengoksidaan lengkap sub-oksida dalam filem oksida logam (cth, Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂), menghapuskan jalur serapan dalam spektrum UV-NIR.

Bahan Filem

Oksida:

SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (Kestabilan indeks biasan tinggi untuk penapis optik).

Fluorida:

MgF₂, LaF₃ (Lapisan indeks biasan rendah untuk salutan AR jalur lebar).

logam:

Al, Ag, Au, Ti (Lapisan lekatan dan pemantul logam).

Aplikasi

Laser & Optik Ketepatan:

Penapis laluan jalur, cermin dichroic dan salutan pelindung laser yang memerlukan-ambang kerosakan akibat laser tinggi (LIDT) dan anjakan spektrum sifar di bawah tekanan haba.

Kaca Penutup LiDAR:

Filem nipis anti-reflektif (AR) dan anti{1}}kotoran tahan lasak yang tahan luluhawa luar yang keras.

Pembungkusan Semikonduktor:

Lembapan-lapisan enkapsulasi penghalang dan pad sentuhan logam dimendapkan pada suhu substrat yang rendah.

Penderia Bioperubatan:

Salutan gangguan optik biokompatibel untuk cip mikrofluidik diagnostik.

Penyesuaian

Ruang dan susun atur dalaman direka bentuk mengikut jejak pembuatan dan keperluan proses tertentu:

01.

Dimensi Bilik:

Boleh berskala daripada R=600 mm unit R&D kepada R=1200 mm tinggi-sistem pengeluaran.

02.

Pakej Mengepam:

Boleh dikonfigurasikan dengan pam turbomolekul Maglev, cryopump, dan talian sokongan blower Roots berdasarkan keperluan beban gas.

03.

Integrasi Sumber:

Konfigurasi dua-sumber ion atau tetapan-pemendapan bersama untuk filem aloi kompleks dan-berbilang lapisan kecerunan.

04.

Tahap Automasi:

Penyepaduan dengan sistem pemindahan substrat bilik bersih automatik (EFEM / Alat kluster vakum).

Kawalan Kualiti

Pengesanan Kebocoran:

Setiap kebuk vakum adalah kebocoran helium-diuji menggunakan spektrometer jisim (kadar kebocoran < 1.0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).

Kebolehkesanan Komponen:

Injap vakum, pengawal aliran jisim (MFC) dan bekalan kuasa yang diperoleh daripada jenama industri Tahap-1 yang layak (MKS, Inficon, VAT).

Ujian Penerimaan Kilang (FAT):

Jalankan-ujian yang mengesahkan tekanan asas, lengkung pengepaman, kestabilan sumber dan ketahanan ruang kosong berterusan selama 24-jam sebelum penghantaran.

Pengesahan Metrologi:

Larian sampel disahkan melalui spektrofotometer (transmisi/pantulan) dan mikroskopi daya atom (kekasaran permukaan Ra < 0.5 nm).

Pemasangan & Sokongan Teknikal

Panduan Penyediaan Tapak:

Keperluan utiliti yang komprehensif disediakan sebelum penghantaran (aliran/tekanan air penyejuk, udara termampat bilik bersih, pengagihan kuasa, pembuangan ekzos).

Pentauliahan Turnkey:

Jurutera perkhidmatan lapangan mengendalikan pemasangan mekanikal, pemanggangan vakum-keluar, penentukuran pancaran ion dan tandatangan resipi proses awal-di-tapak.

Latihan Operator:

Latihan berstruktur-merangkumi penyelenggaraan rutin, keselamatan vakum, pengendalian perisian dan penyelesaian masalah.

Sokongan Kitaran Hayat:

Antara muka diagnostik jauh untuk penyelesaian masalah perisian pantas; stok serantau bagi barangan haus kritikal (filamen, mangkuk pijar, perisai) dihantar dalam masa 48 jam.

Soalan Lazim

S: Bagaimanakah bantuan ion menghalang peralihan spektrum dalam penapis optik?

A: Penyejatan terma konvensional meninggalkan lompang mikroskopik dalam filem, yang menyerap lembapan ambien, mengubah ketebalan fizikal dan indeks biasan. Pengeboman ion meningkatkan ketumpatan pembungkusan filem melebihi 99%, menyegel struktur mikro terhadap penembusan lembapan dan mengunci parameter optik yang stabil merentas persekitaran kelembapan berubah-ubah.

S: Apakah selang penyelenggaraan biasa untuk grid sumber ion?

J: Bergantung pada gas proses (Ar vs. O₂ reaktif) dan kuasa operasi, penyelenggaraan grid diperlukan setiap 150 hingga 300 jam pemprosesan. Gridless End-Reka bentuk dewan memanjangkan tetingkap operasi dengan ketara dengan menghapuskan grid fizikal yang tertakluk kepada kehausan sputtering.

S: Bolehkah peralatan ini berintegrasi dengan automasi kilang sedia ada?

A: Ya. Perisian kawalan menyokong protokol SECS/GEM dan OPC UA, membenarkan sambungan terus ke Sistem Perlaksanaan Pembuatan (MES) untuk pengurusan resipi dan penjejakan lot.

Kami terkenal-sebagai salah satu pengeluar dan pembekal peralatan filem nipis penyejatan ion terkemuka-dan pembekal di China. Jika anda akan membeli peralatan filem nipis penyejatan ion tersuai-dibuat di China, dialu-alukan untuk mendapatkan senarai harga daripada kilang kami. Untuk rundingan harga, hubungi kami.