Ion-Sistem Penyejatan Vakum Berbantu menyepadukan-sumber penyejatan pancaran-vakum tinggi atau elektron-dengan jenis Kaufman-atau sumber ion Akhir-Sumber ion Hall. Dengan mengebom filem yang semakin meningkat dengan gas terion (Ar atau O2) semasa pemendapan wap fizikal (PVD), sistem memindahkan tenaga kinetik kepada adatom, menindas struktur mikro kolumnar dan menghalang penyerapan lembapan dalam filem nipis optik dan dielektrik.
Dibina untuk penyepaduan bilik bersih dan pengeluaran berbilang-anjakan berterusan, sistem berskala daripada tapak kaki R&D (ruang 300 mm) kepada-talian industri throughput tinggi (900 mm dwi-pintu dan konfigurasi putaran planet).
Spesifikasi Teknikal
|
Kategori Parameter |
Spesifikasi Teknikal |
|
Dimensi Dewan |
600 mm x 600 mm x 600 mm (Boleh disesuaikan sehingga 1200 mm) |
|
Bahan Dewan |
Keluli Tahan Karat 304L, permukaan dalaman digilap hingga Ra < 0.2 um |
|
Tekanan Asas |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere) |
|
Tekanan muktamad |
<= 8.0 x 10^-6 Pa |
|
Sumber Penyejatan |
Pistol rasuk E-berbilang poket (6 x 15cc / 4 x 40cc) dan Sumber Terma Resistif |
|
Sumber Ion |
Tamat-Sumber Ion Dewan / Tanpa Grid (Voltan pancaran: 50-300 V, Arus ion: 0-500 mA) |
|
Lekapan Substrat |
Mekanisme putaran planet (0-20 RPM) dengan pemanasan pilihan (RT hingga 350 darjah C) |
|
Kawalan Ketebalan Filem |
Imbangan Mikro Kristal Kuarza (QCM) dengan kepala penderia dwi dan pengawal gelung-PID tertutup |
Ciri-ciri Utama
Berhampiran-Ketumpatan Pukal:Mobiliti permukaan adatom yang tinggi menghilangkan keliangan filem yang boleh dilihat dan memaksimumkan kekerasan mekanikal.
Penalaan Tekanan Intrinsik:Tenaga pancaran ion boleh laras meneutralkan tegasan mekanikal, menghalang penundaan pada susunan dielektrik tebal.
Pemprosesan Belanjawan-Terma-Rendah:Momentum-ketumpatan didorong membenarkan-salutan berprestasi tinggi pada suhu-substrat polimer sensitif tanpa herotan terma.
Automasi Resipi:PLC-sambungan vakum terkawal dan penjujukan pam-ke bawah diuruskan melalui panel sentuh industri-HMI dengan pengelogan data.
Konfigurasi Sistem Vakum
Peringkat kasar:Pam mekanikal ram putar dwi{0}}digandingkan dengan peniup akar (kelajuan 150 L/s) untuk penyilang pantas.
Peringkat Vakum Tinggi:Pam turbomolekul terangkat secara magnetik (1600 L/s) disokong oleh-pam skrol kering bebas minyak untuk menghapuskan penstriman belakang hidrokarbon.
Pilihan Kriogenik:Perangkap sejuk nitrogen cecair dan penyepaduan cryopump untuk tekanan separa wap air rendah-.
Pengukuran vakum:Silang-tolok Pirani dan Katod Sejuk yang ditentukur untuk maklum balas masa sebenar-dari atmosfera kepada 10^-7 Pa.
Bahan Penyejatan & Keserasian Substrat
Bahan Penyejatan
Oksida:SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3
Fluorida:MgF2, LaF3
logam:Al, Ag, Au, Ti, Cr
Keserasian Substrat
Substrat optik:Silika bercantum, N-BK7, silikon, germanium dan tingkap zink selenida.
Wafer Semikonduktor:100 mm hingga 300 mm silikon dan wafer semikonduktor kompaun.
Polimer:Filem PET, PI (Polyimide) dan PMMA menggunakan-parameter IAD suhu rendah.
Aplikasi
Optik Ketepatan:Salutan anti-pantulan (AR), cermin laser dan penapis laluan jalur sempit yang memerlukan rintangan kelembapan.
Mikroelektronik:Elektrod pintu logam, lapisan lekatan, dan penghalang pempasifan dalam pembungkusan semikonduktor.
Optoelektronik:Sentuhan oksida pengalir lutsinar (TCO) dan lapisan pengekapsulan{0}}lembapan OLED.
Pilihan Penyesuaian
Geometri Bilik:Binaan segi empat tepat atau silinder yang disesuaikan dengan kekangan dinding bilik bersih.
Penyepaduan Berbilang-Sumber:Persediaan penyejatan bersama-menempatkan sehingga tiga E-beam gun dan empat bot haba.
In{0}}Pelabuhan Metrologi In Situ:Port penyepaduan bebibir untuk elipsometer spektroskopi atau sistem pemantauan optik.
Tahap Automasi:Binaan penyelidikan separa-atau kaset automatik sepenuhnya-ke-pengendalian wafer kaset.
Kawalan Kualiti & Protokol Pengujian
Pengesanan Kebocoran:Ujian spektrometer jisim helium pada setiap ruang dengan ambang penolakan yang ketat < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.
Pengesahan Kebersihan:Imbasan penganalisis gas sisa (RGA) melakukan pra-penghantaran untuk mengesahkan sifar hidrokarbon organik.
Pembakaran Sistem-Dalam:Ujian larian kering berterusan selama 72-jam bagi pemacu mekanikal, manifold penyejukan dan interlock elektrik.
Dokumentasi:Sijil ujian kilang bahan (MTR), skema elektrik dan laporan Ujian Penerimaan Kilang (FAT).
Pemasangan & Sokongan Teknikal
Penyediaan Tapak:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/j), udara kering bersih (CDA) dan ekzos.
Pentauliahan:Arahan perkhidmatan lapangan untuk meratakan mekanikal, sambungan utiliti, penentukuran vakum dan tandatangan resipi-dimatikan.
Latihan Operator:Program 5-hari di tapak meliputi operasi, penyelenggaraan pencegahan, penyelesaian masalah dan jalinan keselamatan.
Alat Ganti:Item haus kritikal (filamen, kristal QCM, pengedap, galas turbomolekul) disimpan secara serantau.
Soalan Lazim
S: Bagaimanakah IAD menghalang hanyut indeks biasan?
J: Pengeboman ion mengeluarkan sisa gas yang terperangkap dan memampatkan pertumbuhan filem kepada hampir-ketumpatan pukal. Ini menghentikan pemeluwapan lembapan ambien apabila pengudaraan atmosfera, memastikan sifar pusat-panjang gelombang beralih dari semasa ke semasa.
S: Apakah selang penyelenggaraan untuk grid dan filamen sumber ion?
J: Tamat-Sumber ion dewan beroperasi selama 150-200 jam proses bergantung pada gas reaktif. Pengapit pelepasan cepat membolehkan penggantian komponen dalam masa kurang dari 30 minit.
S: Bolehkah sistem mengendalikan proses reaktif seperti TiO2?
A: Ya. Pengawal aliran jisim berketepatan tinggi -tinggi (MFC) yang berdedikasi menyuntik oksigen atau nitrogen terus ke dalam ruang dan sumber ion, memastikan stoikiometri lengkap dan menghapuskan penyerapan sub-oksida.
Cool tags: ion-peralatan penyejatan vakum berbantu, ion China-peralatan penyejatan vakum berbantu pengilang, pembekal, kilang
