Peralatan Penyejatan Berbantukan Rasuk Ion

Peralatan Penyejatan Berbantukan Rasuk Ion

Butir-butir
Sistem IBAE menggabungkan elektron-rasuk atau penyejatan haba dengan sumber ion rasuk-luas bersepadu. Pengeboman ion serentak semasa pertumbuhan filem memindahkan tenaga kinetik kepada memekatkan adatom, menghapuskan struktur mikro kolumnar dan menghasilkan hampir-pukal-filem nipis berketumpatan dengan kelembapan minimum-anjakan spektrum yang disebabkan.
Pengkelasan produk
Ion-Peralatan Filem Nipis Penyejatan Berbantu
 
Hantar pertanyaan
Description/kawalan
Parameter teknikal

Sistem IBAE menggabungkan elektron-rasuk atau penyejatan haba dengan sumber ion rasuk-luas bersepadu. Pengeboman ion serentak semasa pertumbuhan filem memindahkan tenaga kinetik kepada memekatkan adatom, menghapuskan struktur mikro kolumnar dan menghasilkan hampir-pukal-filem nipis berketumpatan dengan kelembapan minimum-anjakan spektrum yang disebabkan.

 

Spesifikasi Teknikal

 

Parameter

Spesifikasi

Tekanan Asas

<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes)

Tekanan Kerja

1.0 x 10^(-1) hingga 1.0 x 10^(-2) Pa

Jenis Sumber Ion

Gridless End-Sumber Ion Dewan / Kaufmann

Tenaga Pancaran Ion

50 eV hingga 1500 eV (gelung-tertutup distabilkan)

Ketumpatan Arus Rasuk Ion

0 hingga 2.5 mA/cm^2

Sumber Penyejatan

Berbilang-poket E-Beam Gun (4 x 15 cc hingga 6 x 40 cc) / Bot rintangan

Pemegang Substrat

Lekapan putaran planet dengan pemanasan sehingga 300 darjah C

Keseragaman Ketebalan

<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter

Sistem Kawalan

Siemens S7-1500 PLC + Industri PC (pengawal pemendapan Inficon)

 

Ciri-ciri Utama


Pengeboman Mod Dwi{0}}:Pemindahan tenaga kinetik memekatkan filem pada suhu substrat rendah, melindungi optik halus dan substrat polimer.


Tertutup-Penstabilan Ion Gelung:Pengawal aliran jisim bersepadu mengekalkan fluks ion yang berterusan sepanjang pengeluaran yang lama, memastikan konsistensi kelompok.


Ruang Vakum Modular:Struktur keluli tahan karat 304L dengan bahagian dalam-elektro (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.


Penjujukan Automatik:PLC-pam terurus-kitaran turun, pemendapan dan bolong meminimumkan varians operasi.

 

Konfigurasi Sistem Vakum


Pam kasar:Akar kering bebas minyak-dan pam ram berputar.


Pam Vakum Tinggi:Pam turbomolekul terangkat magnet (1600 L/s).


Tolok:Kombinasi Pirani, katod sejuk, dan manometer kapasitans Baratron.


Injap:Injap pintu dan sudut pneumatik dengan interlock keselamatan perkakasan.

 

Bahan Penyejatan & Keserasian Substrat


Oksida:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3


Fluorida:MgF2, LaF3


logam:Au, Ag, Al, Ti, Cr


Substrat:Silika lebur, BK7, wafer silikon, germanium, zink selenida (ZnSe) dan poliimida tahan haba-.

 

Aplikasi


Optik Ketepatan:Penapis pas jalur sempit dan salutan DWDM yang memerlukan panjang gelombang tengah yang stabil.


Optik Laser:Pemantul ambang-kerosakan tinggi-dan salutan anti-pantulan.


Semikonduktor & Fotonik:Lapisan pelindung dielektrik, pasif, dan pandu gelombang optik.


Tenaga Suria:Pengubahsuaian antara muka oksida pengalir lutsinar (TCO).

 

Penyesuaian


Saiz Ruang:Diameter boleh berskala dari 600 mm hingga 1200 mm.


Susun atur sumber:Sehingga tiga e-beam gun dan berbilang sumber haba setiap platform.


Metrologi-In Situ:Pemantauan optik jalur lebar (BOM) atau penyepaduan imbangan mikro kristal kuarza (QCM).


Automasi:Antara muka pemuatan substrat robotik mematuhi piawaian SEMI.

 

Kawalan Kualiti


Pengesanan Kebocoran:Ujian spektrometer jisim helium setiap ruang (sensitiviti<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).


Penyumberan Komponen:Jenama perindustrian Tahap-1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).


Penerimaan Kilang (FAT):Larian kering berterusan 72 jam dan salutan pengesahan mengukur indeks biasan dan keseragaman sebelum penghantaran.

 

Pemasangan & Sokongan Teknikal


Dokumentasi:Pakej bahasa Inggeris lengkap termasuk skema elektrik, gambar rajah P&ID dan kod sumber PLC.


Perkhidmatan Lapangan:Pemasangan turnkey, penentukuran vakum dan penalaan resipi oleh jurutera aplikasi.


Diagnostik Jauh:Modul VPN selamat untuk penyelesaian masalah perisian dan proses.

 

Soalan Lazim

 

S: Bagaimanakah bantuan ion mengubah indeks biasan oksida?

A: Pengeboman ion bertenaga mengeluarkan gas sisa yang terperangkap dan mengetatkan struktur mikro, mengalihkan indeks biasan filem seperti Ta2O5 dan TiO2 lebih dekat kepada nilai pukal.

S: Apakah selang penyelenggaraan biasa untuk sumber ion?

J: Selang penyelenggaraan berkisar antara 150 hingga 300 jam pemprosesan, bergantung pada gas proses dan ketumpatan kuasa operasi.

S: Bolehkah sistem ini menguruskan proses gas reaktif?

A: Ya. Pengawal aliran jisim bebas menyuntik gas reaktif (O2, N2) terus ke dalam sumber ion dan zon kebuk, bersambung dengan suis tekanan keselamatan.

 

Cool tags: peralatan penyejatan bantuan rasuk ion, peralatan penyejatan bantuan rasuk ion China pengeluar, pembekal, kilang

Hantar pertanyaan
Hubungi kamijika anda mempunyai sebarang soalan

Anda boleh sama ada menghubungi kami melalui telefon, e-mel atau borang dalam talian di bawah. Pakar kami akan menghubungi anda kembali sebentar lagi.

Hubungi sekarang!