Peralatan Penyejatan Berbantukan Rasuk Ion

Peralatan Penyejatan Berbantukan Rasuk Ion

Butir-butir
Sistem IBAE menggabungkan elektron-rasuk atau penyejatan haba dengan sumber ion rasuk-luas bersepadu. Pengeboman ion serentak semasa pertumbuhan filem memindahkan tenaga kinetik kepada memekatkan adatom, menghapuskan struktur mikro kolumnar dan menghasilkan hampir-pukal-filem nipis berketumpatan dengan kelembapan minimum-anjakan spektrum yang disebabkan.
Pengkelasan produk
Ion-Peralatan Filem Nipis Penyejatan Berbantu
 
Hantar pertanyaan
Description/kawalan
Parameter teknikal

Sistem IBAE menggabungkan elektron-rasuk atau penyejatan haba dengan sumber ion rasuk-luas bersepadu. Pengeboman ion serentak semasa pertumbuhan filem memindahkan tenaga kinetik kepada memekatkan adatom, menghapuskan struktur mikro kolumnar dan menghasilkan hampir-pukal-filem nipis berketumpatan dengan kelembapan minimum-anjakan spektrum yang disebabkan.

 

Spesifikasi Teknikal

 

Parameter

Spesifikasi

Tekanan Asas

<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes)

Tekanan Kerja

1.0 x 10^(-1) hingga 1.0 x 10^(-2) Pa

Jenis Sumber Ion

Gridless End-Sumber Ion Dewan / Kaufmann

Tenaga Pancaran Ion

50 eV hingga 1500 eV (gelung-tertutup distabilkan)

Ketumpatan Arus Rasuk Ion

0 hingga 2.5 mA/cm^2

Sumber Penyejatan

Berbilang-poket E-Beam Gun (4 x 15 cc hingga 6 x 40 cc) / Bot rintangan

Pemegang Substrat

Lekapan putaran planet dengan pemanasan sehingga 300 darjah C

Keseragaman Ketebalan

<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter

Sistem Kawalan

Siemens S7-1500 PLC + Industri PC (pengawal pemendapan Inficon)

 

Ciri-ciri Utama


Pengeboman Mod Dwi{0}}:Pemindahan tenaga kinetik memekatkan filem pada suhu substrat rendah, melindungi optik halus dan substrat polimer.


Tertutup-Penstabilan Ion Gelung:Pengawal aliran jisim bersepadu mengekalkan fluks ion yang berterusan sepanjang pengeluaran yang lama, memastikan konsistensi kelompok.


Ruang Vakum Modular:Struktur keluli tahan karat 304L dengan bahagian dalam-elektro (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.


Penjujukan Automatik:PLC-pam terurus-kitaran turun, pemendapan dan bolong meminimumkan varians operasi.

 

Konfigurasi Sistem Vakum


Pam kasar:Akar kering bebas minyak-dan pam ram berputar.


Pam Vakum Tinggi:Pam turbomolekul terangkat magnet (1600 L/s).


Tolok:Kombinasi Pirani, katod sejuk, dan manometer kapasitans Baratron.


Injap:Injap pintu dan sudut pneumatik dengan interlock keselamatan perkakasan.

 

Bahan Penyejatan & Keserasian Substrat


Oksida:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3


Fluorida:MgF2, LaF3


logam:Au, Ag, Al, Ti, Cr


Substrat:Silika lebur, BK7, wafer silikon, germanium, zink selenida (ZnSe) dan poliimida tahan haba-.

 

Aplikasi


Optik Ketepatan:Penapis pas jalur sempit dan salutan DWDM yang memerlukan panjang gelombang tengah yang stabil.


Optik Laser:Pemantul ambang-kerosakan tinggi-dan salutan anti-pantulan.


Semikonduktor & Fotonik:Lapisan pelindung dielektrik, pasif, dan pandu gelombang optik.


Tenaga Suria:Pengubahsuaian antara muka oksida pengalir lutsinar (TCO).

 

Penyesuaian


Saiz Ruang:Diameter boleh berskala dari 600 mm hingga 1200 mm.


Susun atur sumber:Sehingga tiga e-beam gun dan berbilang sumber haba setiap platform.


Metrologi-In Situ:Pemantauan optik jalur lebar (BOM) atau penyepaduan imbangan mikro kristal kuarza (QCM).


Automasi:Antara muka pemuatan substrat robotik mematuhi piawaian SEMI.

 

Kawalan Kualiti


Pengesanan Kebocoran:Ujian spektrometer jisim helium setiap ruang (sensitiviti<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).


Penyumberan Komponen:Jenama perindustrian Tahap-1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).


Penerimaan Kilang (FAT):Larian kering berterusan 72 jam dan salutan pengesahan mengukur indeks biasan dan keseragaman sebelum penghantaran.

 

Pemasangan & Sokongan Teknikal


Dokumentasi:Pakej bahasa Inggeris lengkap termasuk skema elektrik, gambar rajah P&ID dan kod sumber PLC.


Perkhidmatan Lapangan:Pemasangan turnkey, penentukuran vakum dan penalaan resipi oleh jurutera aplikasi.


Diagnostik Jauh:Modul VPN selamat untuk penyelesaian masalah perisian dan proses.

 

Soalan Lazim

 

S: Bagaimanakah bantuan ion mengubah indeks biasan oksida?

A: Pengeboman ion bertenaga mengeluarkan gas sisa yang terperangkap dan mengetatkan struktur mikro, mengalihkan indeks biasan filem seperti Ta2O5 dan TiO2 lebih dekat kepada nilai pukal.

S: Apakah selang penyelenggaraan biasa untuk sumber ion?

J: Selang penyelenggaraan berkisar antara 150 hingga 300 jam pemprosesan, bergantung pada gas proses dan ketumpatan kuasa operasi.

S: Bolehkah sistem ini menguruskan proses gas reaktif?

A: Ya. Pengawal aliran jisim bebas menyuntik gas reaktif (O2, N2) terus ke dalam sumber ion dan zon kebuk, bersambung dengan suis tekanan keselamatan.

 

Cool tags: peralatan penyejatan bantuan rasuk ion, peralatan penyejatan bantuan rasuk ion China pengeluar, pembekal, kilang, peter ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ကားများ, ferroupric ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ကားများ, Plasma ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်သုံးပစ္စည်းများ, Peralatan Filem Nipis untuk Aplikasi Pembuatan Peranti IoT, peralatan filem nipis untuk aplikasi sensor, ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်တော်လှန်ရေးတိုင်းတာခြင်းပစ္စည်းကိရိယာများ

Hantar pertanyaan
Hubungi kamijika anda mempunyai sebarang soalan

Anda boleh sama ada menghubungi kami melalui telefon, e-mel atau borang dalam talian di bawah. Pakar kami akan menghubungi anda kembali sebentar lagi.

Hubungi sekarang!