Peralatan Penyejatan Rasuk Elektron Vakum Tinggi

Peralatan Penyejatan Rasuk Elektron Vakum Tinggi

Butir-butir
EBE-Sistem Penyejatan Rasuk Elektron Vakum Tinggi Bersiri mendepositkan filem nipis-ketulenan tinggi untuk aplikasi optik, semikonduktor dan metalurgi. Dengan mengarahkan pancaran elektron yang difokuskan secara magnetik ke bahan sumber di dalam ruang vakum, sistem ini mencapai pemanasan setempat dan pengewapan pantas. Kaedah ini menghalang pencemaran crucible dan memproses logam refraktori dan dielektrik ketulenan tinggi-dengan berkesan.
Pengkelasan produk
Peralatan Filem Nipis Penyejatan Rasuk Elektron
 
Hantar pertanyaan
Description/kawalan
Parameter teknikal

EBE-Sistem Penyejatan Rasuk Elektron Vakum Tinggi Bersiri mendepositkan filem nipis-ketulenan tinggi untuk aplikasi optik, semikonduktor dan metalurgi. Dengan mengarahkan pancaran elektron yang difokuskan secara magnetik ke bahan sumber di dalam ruang vakum, sistem ini mencapai pemanasan setempat dan pengewapan pantas. Kaedah ini menghalang pencemaran crucible dan memproses logam refraktori dan dielektrik ketulenan tinggi-dengan berkesan.


Ruang keluli tahan karat menyepadukan pam krio atau pam turbomolekul, mencapai tekanan asas di bawah 5 x 10^-5 Pa untuk meminimumkan penggabungan gas sisa semasa pertumbuhan filem.

 

Spesifikasi Teknikal

 

Parameter

Spesifikasi

Tekanan Vakum Muktamad

< 5 x 10^-5 Pa (after 4-hour bake-out)

Pam-Masa Henti

< 15 min to 1 x 10^-3 Pa (empty, clean chamber)

E-Penilaian Kuasa Senapang

6 kW hingga 15 kW (frekuensi sapuan sehingga 100 Hz)

E-Tatarajah Pistol

Pisau boleh indeks 4 poket atau 6 poket (10 cc hingga 40 cc)

Saiz Pemegang Substrat

Menampung substrat sehingga diameter 200 mm atau plat pembawa tersuai

Kelajuan Putaran Substrat

0 hingga 30 RPM (kelajuan boleh ubah dengan kecondongan boleh laras)

Keseragaman Ketebalan Filem

+/- 1% hingga +/- 2% merentasi jejari 100 mm (lekapan planet)

Bahan Dewan

Keluli tahan karat 304L (kemasan dalaman digilap, Ra < 0.2 um)

 

Ciri-ciri Utama


Pemanasan Rasuk E-Terus:Melintasi had bot rintangan; mencairkan bahan-titik lebur-tinggi termasuk tungsten, platinum dan alumina.


Sapu Rasuk Boleh Aturcara:Gegelung elektromagnet dwi-mengedarkan rasuk merentasi permukaan penyejat, menghalang kawah dan memastikan penggunaan bahan seragam.


Pengindeksan Berbilang-Poket:Pisau kuprum yang disejukkan dengan air-mendayakan pemendapan berbilang lapisan-berjujukan tanpa memecahkan vakum.


Pemantauan Kadar QCM:Penderia kristal kuarza dwi memantau kadar pemendapan dan ketebalan filem, memaut terus ke pengawal PLC/PID.


Seni Bina Keselamatan:Saling kunci perkakasan melindungi daripada kegagalan air penyejuk, tekanan ruang tinggi dan kebocoran kedap pintu.

 

Konfigurasi Sistem Vakum


Peringkat kasar:Pam ram berputar dua-peringkat yang digandingkan dengan peniup akar mencapai kasar kasar sehingga 10 Pa.


Peringkat Vakum Tinggi:Pam molekul-turbo (1200 L/s hingga 2200 L/s) digabungkan dengan pam kriogenik helium gelung-tertutup, diasingkan oleh injap pintu pneumatik.


Pemantauan Tekanan:Tolok Pirani/Katod Sejuk julat penuh-menjejaki tekanan ruang dari atmosfera ke vakum ultra-tinggi.


Diagnostik:Port bebibir KF dan CF menampung pengesan kebocoran helium.

 

Bahan Filem & Substrat

 

Bahan Penyejat yang Disokong

Logam: Ti, Cr, Al, Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Ta, W, Mo
Dielektrik: SiO2, TiO2, Ta2O5, Al2O3, ZrO2, HfO2

 

Substrat yang Serasi

Tunggal-wafer silikon kristal (diameter 100 mm hingga diameter 300 mm)
Kaca optik, silika bercantum, dan kuarza
Seramik alumina (Al2O3) dan aluminium nitrida (AlN).
Kerajang logam fleksibel dan filem polimida (melalui modul-ke-gulungan)

Aplikasi


Pembuatan Semikonduktor:Sesentuh pintu logam, lapisan penghalang resapan dan sesentuh ohmik (Ti/Pt/Au, Cr/Au).


Penapis Gangguan Optik:Salutan berbilang-lapisan untuk cermin laser, penapis laluan jalur dan kanta anti-pantul menggunakan oksida dielektrik berselang-seli.


R&D fotovoltaik:Lapisan filem-nipis untuk sel solar perovskit dan CIGS.


Salutan Berfungsi:Lapisan oksida logam pelindung untuk komponen aeroangkasa dan sensor.

 

Penyesuaian


Geometri Bilik:Ruang silinder menegak atau mendatar berskala untuk panel rata besar atau bahagian 3D.


Pengubahsuaian Substrat:Pincang DC/RF untuk ion-pemendapan berbantu (IAD) dan pemanas substrat berkadar sehingga 600 darjah C.


Muatkan-Integrasi Kunci:Satu- atau dwi-beban wafer-ruang kunci untuk mengurangkan-kitaran ke bawah semasa-proses pemprosesan tinggi.


Integrasi Kawalan:Skrip PLC/SCADA tersuai yang menyokong automasi resipi, pengelogan data dan komunikasi SECS/GEM.

 

Kawalan Kualiti


Ujian Kebocoran Spektrometer Jisim Helium:Bilik diuji ke ambang di bawah 1 x 10^-9 Pa*m^3/s sebelum penerimaan kilang.


Pengesahan Keselamatan Elektrik:Rintangan penebat voltan tinggi-tinggi, kesinambungan pembumian dan ujian saling kunci dilaksanakan mengikut piawaian CE/IEC.


Pemeriksaan Dimensi:Pengesahan mesin pengukur koordinat (CMM) permukaan pengedap dan penjajaran bebibir.


Ujian Penerimaan Kilang (FAT):Pengeringan berterusan selama 72 jam bagi pam vakum, pemasangan gerakan dan unit kuasa dengan laporan data penuh.

 

Pemasangan & Sokongan Teknikal


Pada-Pentauliahan Tapak:Jurutera menguruskan perataan ruang, sambungan utiliti (air, kuasa, gas, ekzos) dan pemanggang vakum awal-keluar.


Penentukuran Proses:Sokongan teknikal menetapkan kadar pemendapan garis dasar dan keluk penentukuran ketebalan filem semasa ujian penerimaan tapak (SAT).


Penghantaran Alat Ganti:Bahagian haus kritikal-filamen, mangkuk pijar, kristal QCM dan pengedap vakum-disediakan secara tempatan.


Diagnostik Jauh:Modul diagnostik selamat membolehkan-mendapatkan semula log PLC masa sebenar untuk penyelesaian masalah pantas.

 

Soalan Lazim

 

S: Apakah keseragaman ketebalan maksimum merentas substrat 200 mm?

J: Keseragaman ketebalan dikekalkan dalam +/- 1.5% ke atas kawasan diameter 200 mm apabila menggunakan lekapan putaran planet.

S: Bolehkah sistem mengendalikan proses penyejatan reaktif?

A: Ya. Pengawal aliran jisim bersepadu (MFC) menyuntik oksigen, nitrogen atau argon untuk pembentukan filem oksida dan nitrida reaktif.

S: Apakah keperluan utiliti yang mesti disediakan di-tapak?

A: The system requires a dedicated 3-phase power supply (380V/480V, 50/60 Hz), chilled water (>40 L/min, 20 +/- 2 deg C), udara termampat (0.4 hingga 0.6 MPa) dan garisan ekzos pam yang kasar.

S: Apakah masa utama yang biasa?

J: Konfigurasi standard dihantar dalam 12 hingga 16 minggu. Sistem tersuai dengan kunci muatan atau ruang khusus memerlukan 20 hingga 26 minggu dari tarikh kelulusan FAT.

 

Cool tags: peralatan penyejatan rasuk elektron vakum tinggi, peralatan penyejatan rasuk elektron vakum tinggi China pengeluar, pembekal, kilang, peter ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ကားများ, ferroupric ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ကားများ, Plasma ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်သုံးပစ္စည်းများ, Peralatan Filem Nipis untuk Aplikasi Pembuatan Peranti IoT, peralatan filem nipis untuk aplikasi sensor, ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်တော်လှန်ရေးတိုင်းတာခြင်းပစ္စည်းကိရိယာများ

Hantar pertanyaan
Hubungi kamijika anda mempunyai sebarang soalan

Anda boleh sama ada menghubungi kami melalui telefon, e-mel atau borang dalam talian di bawah. Pakar kami akan menghubungi anda kembali sebentar lagi.

Hubungi sekarang!