Peralatan Filem Nipis Etching Plasma

Peralatan Filem Nipis Etching Plasmaialah penyelesaian-terdepan yang direka untuk pelucutan ketepatan salutan-filem nipis, menawarkan prestasi luar biasa dalam pengubahsuaian permukaan dan penyingkiran sisa. Memanfaatkan teknologi etsa ion reaktif (RIE), peralatan ini menggabungkan tindak balas kimia dan pengeboman ion fizikal untuk mencapai penyingkiran filem yang seragam dan terkawal.

• Pemprosesan Suhu-Rendah: Peralatan Filem Nipis Etsa Plasma beroperasi pada suhu ultra-rendah, meminimumkan tegasan terma dan menghalang ubah bentuk substrat. Ciri ini penting untuk bahan halus seperti polimer dan optik ketepatan.
• Kadar Goresan Boleh Laras: Jarak antara sumber ion dan substrat boleh dilaraskan secara dinamik melalui ketinggian-platform berputar boleh laras, membolehkan kawalan tepat ke atas kelajuan goresan (sehingga 30 nm/min) untuk memenuhi keperluan proses yang pelbagai.
• Keseragaman Tinggi: Dilengkapi dengan sumber pancaran ion yang dipatenkan dan teknologi nyahcas termaju, peralatan ini menghasilkan-plasma berketumpatan tinggi, memastikan goresan seragam dan hasil yang konsisten merentas substrat sehingga diameter 800 mm.
• Dwi{0}}Fungsi: Di luar penyingkiran filem, sistem ini boleh disesuaikan untuk aplikasi pelbagai fungsi, termasuk pembersihan permukaan dan-prarawatan untuk proses salutan seterusnya.

TheMesin Pembersih Plasmaberoperasi melalui interaksi canggih pengeboman fizikal dan tindak balas kimia yang didorong oleh gas terion (plasma). Pada terasnya, sistem menjana plasma dengan menggunakan tenaga radiofrequency (RF) pada-persekitaran gas tekanan rendah (cth, oksigen, argon atau nitrogen). Tenaga ini mengasingkan molekul gas kepada spesies reaktif, termasuk ion, elektron dan radikal bebas, membentuk-awan plasma bertenaga tinggi.

1, Penjanaan Plasma:
Apabila kuasa RF (biasanya 13.56 MHz atau 40 kHz) digunakan pada elektrod dalam ruang vakum, molekul gas mengalami pengionan. Ini menghasilkan pelepasan cahaya, menghasilkan keadaan plasma yang stabil. Pemilihan gas proses menentukan mekanisme tindak balas yang dominan: plasma oksigen cemerlang dalam mengoksidakan bahan cemar organik, manakala plasma argon meningkatkan percikan fizikal untuk sisa bukan organik.

2, Mekanisme Pembersihan:

• Pengeboman Fizikal:Ion tenaga-tinggi dalam plasma berlanggar dengan bahan cemar permukaan, memecahkan ikatan molekul dan mencabut zarah melalui pemindahan tenaga kinetik. Proses ini secara berkesan membuang zarah dan lapisan yang lemah melekat.
• Tindak balas kimia:Radikal reaktif (cth, O⁎, OH⁎) berinteraksi dengan bahan pencemar organik, menguraikannya kepada hasil sampingan yang meruap (CO₂, H₂O) yang dipindahkan melalui sistem vakum.
• Pengaktifan Permukaan:Pada masa yang sama, pendedahan plasma mengubah suai kimia permukaan dengan mencipta kumpulan berfungsi kutub (-OH, -COOH), meningkatkan kebolehbasahan dan lekatan untuk proses seterusnya.

Pra- dan Siaran-Perbandingan Goresan

• Pra-Etsa: Filem berasaskan karbon-sisa (cth, salutan DLC/ta-C) atau bahan cemar boleh merendahkan lekatan permukaan dan prestasi optik.
• Catatan-Goresan: Permukaan bersih,{0}}bebas tercemar dicapai, meningkatkan lekatan untuk salutan seterusnya dan meningkatkan kebolehpercayaan produk dalam industri seperti elektronik pengguna, optik dan tenaga boleh diperbaharui.

• Gas Etching: Ar, O₂
• Bekalan Kuasa: 380V/50Hz, 10 kW
• Sistem Vakum: Pam molekul dengan tekanan asas Kurang daripada atau sama dengan 5.0×10⁻⁴ Pa
• Penyesuaian: Saiz ruang dan dimensi luaran boleh disesuaikan dengan keperluan pelanggan.

• Pembuangan filem-nipis untuk kanta optik, panel paparan dan alatan ketepatan.
• Pra{0}}perawatan permukaan dalam elektronik 3C, peranti perubatan dan industri tenaga Baharu.